Павлов Дмитрий Алексеевич

      Тема кандидатской диссертации: "Структура и свойства аморфного кремния, легированного изовалентными примесями". 
      Тема докторской диссертации: «Структурная модификация пленок кремния в процессе роста и легирования».
       Область научных интересов - наноэлектроника, нанофотоника и спинтроника квантово-размерных гетеронаностуктур на основе кремния, германия и полупроводников A³B⁵, высокоразрешающая просвечивающая электронная микроскопия, рентгеновская энерго-дисперсионная спектрометрия.
      Автор 490 научных и учебно-методических работ. Резюме, Curriculum vitae, Research Gate. Наукометрические показатели: Web of Science ResearcherID O-4965-2019; индекс Хирша РИНЦ, Scopus и Web of Science = 14.
 
      Под руководством проф. Д.А. Павлова защищено 7 кандидатских диссертаций: 

1. Шенгуров Дмитрий Владимирович. Структура и электрические свойства легированных пленок поликристаллического кремния, полученных методом молекулярно-лучевого осаждения. 01.04.10 - физика полупроводников. Дата защиты: 29.04.1998 г.
2. Шиляев Павел Анатольевич. Фрактальный анализ поверхности слоев кремния, выращенных методом молекулярно-лучевого осаждения. 01.04.07 – физика конденсированного состояния. Дата защиты: 28.09.2005 г.
3. Николичев Дмитрий Евгеньевич. Исследование состава самоорганизованных нанокластеров Ge_xSi_1-x/Si методом сканирующей оже-микроскопии. 01.04.07 – физика конденсированного состояния. Дата защиты: 08.04.2009 г.
4. Кривулин Николай Олегович. Особенности формирования наноразмерных кристаллических слоев кремния на сапфире. 01.04.07 – физика конденсированного состояния. Дата защиты: 03.10.2012 г.
5. Боряков Алексей Владимирович. Анализ состава оксидных слоёв с термокристаллизованными нановключениями кремния. 01.04.07 – физика конденсированного состояния. Дата защиты: 18.03.2015 г.
6. Бобров Александр Игоревич. Исследование полей упругих деформаций и напряжений в массивах вертикально упорядоченных Ge(Si)-наноостровков. 01.04.07 – физика конденсированного состояния. Дата защиты: 25.12.2015 г.
7. Малехонова Наталья Викторовна. Профилирование состава гетеронаноструктур методами Z-контраста и рентгеновской энергодисперсионной спектроскопии. 01.04.07 – физика конденсированного состояния. Дата защиты: 21.12.2016 г.
8. Сушков Артём Александровия. Создание платформы на основе подложки класса «кремний-на-изоляторе» для эпитаксии слоев A^IIIB^V. 1.3.11 – физика полупроводников. Дата защиты:04.10.2023 г.

      Участие в подготовке и защите докторской диссертации в роли научного консультанта:

1. Дорохин Михаил Владимирович. Спин-зависимые явления и циркулярно-поляризованная люминесценция в гибридных структурах ферромагнетик/полупроводник A³B⁵. 01.04.10 – физика полупроводников. Дата защиты: 26.12.2016 г.
2. Кудрин Алексей Владимирович. Ферромагнитные полупроводниковые структуры на основе слоев A^IIIB^V, легированных атомами Mn и Fe. 1.3.11 – физика полупроводников. Дата защиты: 08.06.2022 г.

2014
 

1. Pavlov D.A., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pirogov A.V., Nezhdanov A.V. Self-assembled nanocrystals discovered in Chelyabinsk meteorite //Scientific Reports.- 2014.- V. 4, No. 4280.- P. 1-6.- DOI: 10.1038/srep04280.- Web of Science.- Impact factor - 5.078.
2. Pavlov D.A., Bobrov A.I., Novikov A.V., Sorokin D.S., Malekhonova N.V., Pirogov A.V., Nikolitchev D.E., Boryakov A.V. Investigation of deformations and strain fields in silicon matrix structures embedded with vertically stacked Ge(Si) self-assembled islands//Appl. Phys. Lett.- 2014.- V. 105, No. 161910.- P. 1-5.- DOI: 10.1063/1.4900554.- Web of Science.-Impact factor - 3.739.
3. Kudrin A.V., Shvetsov A.V., Danilov Yu.A., Timopheev A.A., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Sobolev N.A. Anomalous Hall effect in two-phase semiconductor structures: The role of ferromagnetic inclusions//Phys. Rev. B. 2014.- V. 90, No. 024415.- P. 1-7.- DOI: 10.1103/PhysRevB.90.024415.- Web of Science.- Impact factor - 3.767.
4. Belyakov V.A., Sidorenko K.V., Konakov A.A., Ershov A.V., Chugrov I.A., Grachev D.A., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Burdov V.A.Quenching the photoluminescence from Si nanocrystals of smaller sizes in dense ensembles due to migration processes //Journal of Luminescence.- 2014.- V. 155, No. 1.- P. 1–6.- DOI: 10.1016/j.jlumin.2014.05.038.- Web of Science.- Impact factor - 2.144.
5. ДорохинМ.В., ПавловД.А., БобровА.И., ДаниловЮ.А., ДёминаП.Б., ЗвонковБ.Н., ЗдоровейщевА.В., КудринА.В., МалехоноваН.В., МалышеваЕ.И. ЭпитаксиальноевыращиваниеслоевMnGa/GaAs длядиодовсоспиновойинжекцией//Физикатвердоготела.- 2014.- Т. 56, вып. 10.- С. 2062-2065. http://journals.ioffe.ru/ftt/2014/10/p2062-2065.pdf. Translated version: Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Demina P.B., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I. Epitaxial Growth of MnGa/GaAs Layers for Diodes with Spin Injection//Physics of the Solid State.- 2014.- V. 56, No. 10.- P. 2131-2134.- DOI: 10.1134/S1063783414100102.- Web of Science.-Impact factor - 0.782.
6. Ершов А.В., Павлов Д.А., Грачев Д.А., Бобров А.И., Карабанова И.А., Чугров И.А., Тетельбаум Д.И. Эволюция структурно-морфологических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiO_x/ZrO₂, содержащей нанокластеры кремния//Физика и техника полупроводников.- 2014.- Т. 48, вып. 1.- С. 44‑48. http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/01/p44-48.pdf. Translated version: Ershov A.V., Pavlov D.A., Grachev D.A., Bobrov A.I., Karabanova I.A., Chugrov I.A., Tetelbaum D.I. Annealing Induced Evolution of the Structural and Morphological Properties of a Multilayer Nanoperiodic SiO_x/ZrO₂System Containing Si Nanoclusters//Semiconductors.- 2014.- V. 48, No. 1.- P. 42–45. DOI: 10.1134/S1063782614010114.- Web of Science.- Impact factor - 0.739.
7. Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Тимофеева А.О., Васильев В.К., Шушунов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Шек Е.И. Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si⁺//Физика и техника полупроводников.- 2014.- Т. 48, вып. 2.- С. 212-216. http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/02/p212-216.pdf. Translated version: Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Timofeeva A.O., Vasiliev V.K., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Shek E.I. Effect of Ion Doping on the Dislocation Related Photoluminescence in Si⁺Implanted Silicon //Semiconductors.- 2014.- V. 48, No. 2.- P. 199–203.- DOI: 10.1134/S1063782614020183.- Web of Science.- Impact factor - 0.739.
8. Демидов Е.С., Карзанова М.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И., Горшков О.Н., Демидова Н.Е., Чигиринский Ю.И. Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb //Физика твердого тела.- 2014.- Т. 56, вып. 3.- С. 607-610. http://journals.ioffe.ru/ftt/2014/03/p607-610.pdf. Translated version: Demidov E.S., Karzanova M.V., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Belov A.I., Korolev D.S., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Gorshkov O.N., Demidova N.E., Chigirinskii Yu.I. Effect of Ion Irradiation on the Structure and Luminescence Characteristics of Porous Silicon Impregnated with Tungsten–Telluride Glass Doped by Er and Yb Impurities//Physics of the Solid State.- 2014.- V. 56, No. 3.- P. 631–634.- DOI: 10.1134/S1063783414030093.- Web of Science.-Impact factor - 0.769.
9. Тихов С.В., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Бобров А.И., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н., Шенина М.Е. Конденсаторы с нелинейными характеристиками на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота //Письма в ЖТФ.- 2014.- Т. 40, № 9.- С. 9-17. http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/09/p9-16.pdf. Translated version: Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Pavlov D.A., Antonov I.N., Bobrov A.I., Kasatkin A.P., Koryazhkina M.N., Shenina M.E. Capacitors with nonlinear characteristics based on stabilized zirconia with built-in gold nanoparticles //Technical Physics Letters.- 2014.- V. 40, No. 5.- P. 369-371.- DOI: 10.1134/S1063785014050137.- Web of Science.- Impact factor - 0.574.
10. Герасименко Н.Н., Михайлов А.Н., Козловский В.В., Запорожан О.А., Медетов Н.А., Смирнов Д.И., Павлов Д.А., Бобров А.И. Структура и люминесценция кремния, облученного протонами//Перспективные материалы.- 2013.- № 8.- С. 18-23. http://elibrary.ru/item.asp?id=20155276. Translated version: Gerasimenko N.N., Mikhailov A.N., Kozlovskii V.V., Zaporozhan O.A., Medetov N.A., Smirnov D.I., Pavlov D.A., Bobrov A.I. Structure and Luminescence of Silicon Irradiated by Protons //Inorganic Materials: Applied Research.- 2014.- V. 5, No. 2.- P. 133–137. DOI: 10.1134/S2075113314020063.- Scopus.- Impact factor – 0,38.
11. Нагорных С.Н., Павленков В.И., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Шушунов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А. Распределение центров дислокационной люминесценции D1 в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si⁺, и модель фотолюминесценции//Известия высших учебных заведений. Материалыэлектроннойтехники.- 2014.- № 4.- С. 252-256. Translated version: Nagornykh S.N., Pavlenkov V.I., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Shek E.I. Distribution of D1 Dislocation Luminescence Centers in Si⁺-Implanted Silicon and the Photoluminescence Model // Modern Electronic Materials.- 2015.- V. 1, No.2.- P. 33-37. DOI: 10.1016/j.moem.2015.11.007.
12. Грачев Д.А., Ершов А.В., Суровегина Е.А., Нежданов А.В., Пирогов А.В., Павлов Д.А. Оптические и структурные свойства отожженных многослойных нанопериодических систем Ge/SiO₂, содержащих нанокристаллы германия//Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского.- № 1 (2).- 2014.- С. 59-63. - http://www.unn.ru/pages/e-library/vestnik/19931778_2014_-_1-2_unicode/8.pdf.- Импакт-фактор РИНЦ 2013 – 0.130.
13. Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Малехонова Н.В., Шенина М.Е. Влияние ионного распыления на формирование наночастиц золота методом ионной имплантации в плёнках стабилизированного диоксида циркония //Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского.- № 1 (2).- 2014.- С. 80-83. - http://www.unn.ru/pages/e-library/vestnik/19931778_2014_-_1-2_unicode/11.pdf.- Импакт-фактор РИНЦ 2013 – 0.130.

2015
 

1. Павлов Д.А., Пирогов А.В., Кривулин Н.О., Бобров А.И. Эпитаксиальный рост гексагональных политипов кремния на сапфире//Физика и техника полупроводников.- 2015.- Т. 49, вып. 1.- С. 98‑101. http://journals.ioffe.ru/ftp/2015/01/p98-101.pdf. Translated version: Pavlov D.A., Pirogov A.V., Krivulin N.O., Bobrov A.I. Epitaxial growth of hexagonal silicon polytypes on sapphire //Semiconductors.- 2015.- V. 49, No. 1.- P. 95–98. DOI: 10.1134/S1063782615010194.- Web of Science.- Impact factor - 0.739.
2. Павлов Д.А., Байдусь Н.В., Бобров А.И., Вихрова О.В., Волкова Е.И., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Сорокин Д.С.Исследование деформационных полей, возникающих при изовалентном легировании GaAs фосфором и индием //Физика и техника полупроводников.- 2015.- Т. 49, вып. 1.- С. 3-5. http://journals.ioffe.ru/ftp/2015/01/p3-5.pdf. Translated version: Pavlov D.A., Bidus N.V., Bobrov A.I., Vikhrova O.V., Volkova E.I., Zvonkov B.N., Malekhonova N.V., Sorokin D.S. Distribution of Elastic Strains Appearing in Gallium Arsenide as a Result of Doping with Isovalent Impurities of Phosphorus and Indium //Semiconductors.- 2015.- V. 49, No. 1.- P. 1–3. DOI: 10.1134/S1063782615010182.- Web of Science.- Impact factor - 0.739.
3. Tetelbaum D. I., Mikhaylov A. N., Belov A. I., Korolev D. S., A. N. Shushunov, Bobrov A. I., Pavlov D. A., Shek E. I., Sobolev N. A. Localization of dislocation-related luminescence centers in self-ion implanted silicon and effect of additional boron ion doping //Phys. Stat. Sol. (c).- 2015.- V. 12, No. 1-2.- P. 84-88.- DOI: 10.1002/pssc.201400099.
4. Дикарева Н.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Некоркин С.М., Пирогов А.В., Павлов Д.А. Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb//Физика и техника полупроводников.- 2015.- Т. 49, вып. 1.- С. 11-14. http://journals.ioffe.ru/ftp/2015/01/p11-14.pdf. Translated version: Dikareva N.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Malekhonova N.V., Nekorkin S. M., Pirogov A.V., Pavlov D.A. Effect of thermal annealing on the emission properties of heterostructures containing a quantum-confined GaAsSb layer//Semiconductors.- 2015.- V. 49, No. 1.- P. 9–12. DOI: 10.1134/S1063782615010054.- Web of Science.- Impact factor - 0.739.
5. Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Байдусь Н.В. Влияние технологических параметров роста на характеристики двойных туннельно-связанных ям InGaAs/GaAs//Физика и техника полупроводников.- 2015.- Т. 49, вып. 1.- С. 58-62. http://journals.ioffe.ru/ftp/2015/01/p58-62.pdf. Translated version: Khazanova S.V., Degtyarev V.E., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Baidus N.V. Influence of the technological parameters of growth on the characteristics of double tunnel-coupled InGaAs/GaAs quantum wells//Semiconductors.- 2015.- V. 49, No. 1.- P. 55–59. DOI: 10.1134/S1063782615010133.- Web of Science.- Impact factor - 0.739.
6. Романова Ю.Ю., Додин Е.П., Ноздрин Ю.Н., Бирюков А.А., Байдусь Н.В., Павлов Д.А., Малехонова Н.В. Структурные, оптические и токовые исследования сверхрешеток со сложной элементарной ячейкой на основе AlGaAs //Физика и техника полупроводников.- 2015.- Т. 49, вып. 1.- С. 122‑127. http://journals.ioffe.ru/ftp/2015/01/p122-127.pdf. Translated version: Romanova Yu.Yu., Dodin E.P., Nozdrin Yu.N., Biryukov A.A., Baidus N.V., Pavlov D.A., Malekhonova N.V. Structural, optical, and current investigations of superlattices with a complex AlGaAs-based unit cell//Semiconductors.- 2015.- V. 49, No. 1.- P. 118–123. DOI: 10.1134/S1063782615010236.- Web of Science.- Impact factor - 0.739.
7. Кривулин Н.О., Пирогов А.В., Павлов Д.А., Бобров А.И. Исследование кристаллической структуры наноостровков кремния на сапфире//Физика и техника полупроводников.- 2015.- Т. 49, вып. 2.- С. 160‑162. http://journals.ioffe.ru/ftp/2015/02/p160-162.pdf. Translated version: Krivulin N.O., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I. Study of the crystal structure of silicon nanoislands on sapphire//Semiconductors.- 2015.- V. 49, No. 2.- P. 154–156. DOI: 10.1134/S1063782615020153.- Web of Science.- Impact factor - 0.739.
8. Байдакова Н.А., Бобров А.И, Дроздов М.Н., Новиков А.В., Павлов Д.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках «напряженный кремний-на-изоляторе» с тонким слоем окисла //Физика и техника полупроводников.- 2015.- Т. 49, вып. 8.- С. 1129‑1135. http://journals.ioffe.ru/ftp/2015/08/p1129-1135.pdf. Translated version: Baidakova N.A., Bobrov A.I., Drozdov M.N., Novikov A.V., Pavlov D.A., Shaleev M.V., Yunin P.A., Yurasov D.V., Krasilnik Z.F. Growth of Light Emitting SiGe Heterostructures on Strained Silicon on Insulator Substrates with a Thin Oxide Layer //Semiconductors.- 2015.- V. 49, No. 8.- P. 1104–1110. DOI: 10.1134/S1063782615080059.- Web of Science.- Impact factor - 0.739.
9. Горшков О.Н., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Бобров А.И., Филатов Д.О. Формирование нанокристаллов Au₄Zr в стабилизированном диоксиде циркония в процессе имплантации ионов золота //Письма в ЖТФ.- 2015.- Т. 41, № 11.- С. 62-70. http://journals.ioffe.ru/pjtf/2015/11/p62-70.pdf. Translated version: Gorshkov O.N., Shenina M.E., Kasatkin A.P., Pavlov D.A., Antonov I.N., Bobrov A.I., Filatov D.O. Formation of Au₄Zr Nanocrystals in Yttria Stabilized Zirconia in the Course of Implantation of Gold Ions//Technical Physics Letters.- 2015.- V. 41, No. 6.- P. 543–546.- DOI: 10.1134/S1063785015060048.- Web of Science.- Impact factor - 0.574.
10. БобровА.И., ДаниловЮ.А., ДорохинМ.В., ЗдоровейщевА.В., МалехоноваН.В., МалышеваЕ.И., ПавловД.А.,СайедС. ПрименениекобальтавспиновыхсветоизлучающихдиодахШотткисквантовымиямамиInGaAs/GaAs //Поверхность. Рентгеновские, синхротронныеинейтронныеисследования.- 2015.- № 7.- С. 57-60. Translated version: Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I., Pavlov D.A., Saeid S. Application of Cobalt in Spin Light-Emitting Schottky Diodes with InGaAs/GaAs Quantum Wells //Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron, and Neutron Techniques.-2015.- V. 9, No. 4.- P. 706-709.- DOI: 10.1134/S1027451015040059.- Web of Science.- Impact factor - 0.359.
11. Mikhaylov A.N., Belov A.I., Guseinov D.V., Korolev D.S., Antonov I.N., Efimovykh D.V., Tikhov S.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching and charge transport in silicon oxide memristor //Materials Science and Engineer-ing B.-2015.- V.194, No. 4.- P. 48-54.- DOI:10.1016/j.mseb.2014.12.029.- Web of Science.- Impact factor - 2.169.
12. Юрасов Д.В., Бобров А.И., Данильцев В.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Скороходов Е.В., Шалеев М.В., Юнин П.А. Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных Ge/Si(001) слоев, полученных методом МПЭ//Физика и техника полупроводников.- 2015.- Т. 49, вып. 11.- С. 1463-1468. http://journals.ioffe.ru/ftp/2015/11/p1463-1468.pdf. Translated version: Yurasov D.V., Bobrov A.I., Daniltsev V.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Skorokhodov E.V., Shaleev M.V., YuninP.A. Impact of Growth and Annealing Conditions on the Parameters of Ge/Si(001) Relaxed Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy //Semiconductors.- 2015.- V. 49, No. 11.- P. 1415–1420. DOI: 10.1134/S1063782615080059.- Web of Science.- Impact factor - 0.739.
13. Sergeev V.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Vasiliev V.K., Smirnov A.E., Nikolitchev D.E., Surodin S.I., Guseinov D.V., Nezhdanov A.V., Markelov A.S., Trushin V.N., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Ion-beam synthesis of GaN in silicon // Journal of Physics: Conference Series. – 2015.– V. 643. – P.012082. DOI: 10.1088/1742-6596/643/1/012082.

2016
 

1. Горшков О.Н., Антонов И.Н., Филатов Д.О., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Павлов Д.А., Бобров А.И. Формирование плотных массивов наночастиц золота в тонких пленках стабилизированного диоксида циркония методом магнетронного распыления // Письма в ЖТФ. – 2016. – Т.42, вып. 1. – С.72-79.- http://journals.ioffe.ru/pjtf/2016/01/p72-79.pdf. Translated version: Gorshkov O.N., Antonov I.N., Filatov D.O., Shenina M.E., Kasatkin A.P., Pavlov D.A., Bobrov A.I. Forming Dense Arrays of Gold Nanoparticles in Thin Films of Yttria Stabilized Zirconia by Magnetron Sputtering // Technical Physics Letters.- 2016.- V. 42, No. 1.- P. 36-39. DOI: 10.1134/S1063785016010089.- Web of Science.- Impact factor - 0.574.
2. Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Васильев В.К., Гусейнов Д.В., Окулич Е.В., Шемухин А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Пирогов А.В., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN //Физика и техника полупроводников. – 2016. – Т.50, №2. – С.274-278.- http://journals.ioffe.ru/ftp/2016/02/p274-278.pdf.- Translated version: Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Vasiliev V.K., Guseinov D.V., Okulich E.V., Shemukhin A.A., Surodin S.I., Nikolitchev D.E., Nezhdanov A.V., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Layer-by-Layer Composition and Structure of Silicon Subjected to Combined Gallium and Nitrogen Ion Implantation for the Ion Synthesis of Gallium Nitride //Semiconductors.- 2016.- V. 50, No. 2.- P. 271–275.- DOI: 10.1134/S1063782616020135.- Web of Science.- Impact factor - 0.739.
3. Aleshkin V.Ya., Baidus N.V., Dubinov A.A., Fefelov A.G., Krasilnik Z.F., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S. M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Samartsev I.V., Skorokhodov E.V., Shaleev M.V., Sushkov A.A., Yablonskiy A.N., Yunin P.A., Yurasov D.V. Monolithically integrated InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well laser grownby MOCVD on exact Ge/Si(001) substrate //Appl. Phys. Lett.- 2016.- V. 109, No. 061111.- P. 1-5.- DOI: 10.1063/1.4961059.- Web of Science.-Impact factor - 3.739.
4. Mikhaylov A.N., Gryaznov E.G., Belov A.I., Korolev D.S., Sharapov A.N., Guseinov D.V., Tetelbaum D.I., Tikhov S.V., Malekhonova N.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Gerasimova S.A., Kazantsev V.B., Agudov N.V., Dubkov A.A., Rosário C.M.M., Sobolev N.A., Spagnolo B. Field- and irradiation-induced phenomena in memristive nanomaterials //Phys. Stat. Sol. C.- 2016.- P. 1-12.- DOI10.1002/pssc.201600083.
5. Gorshkov O.N., Mikhaylov A.N., Kasatkin A.P., Tikhov S.V., Filatov D.O., Pavlov D.A., Belov A.I., Koryazhkina M.N., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Gryaznov E.G., Antonov I.N., Shenina M.E. Resistive switching in the Au/Zr/ZrO₂–Y₂O₃/TiN/Ti memristive devices deposited by magnetron sputtering //Journal of Physics: Conference Series.- 2016.- V. 741, No. 012174.- P. 1-7.-DOI:10.1088/1742-6596/741/1/012174.
6. Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Демина П.Б., Усов Ю.В., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю. Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике //Физика и техника полупроводников.- 2016.- Т. 50, вып. 11.- С. 1463-1468.- http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/43774.- Translated version: DorokhinM.V., PavlovD.A., BobrovA.I., DanilovYu.A., LesnikovV.P., ZvonkovB.N., ZdoroveyshchevA.V., KudrinA.V., DeminaP.B., UsovYu.V., NikolichevD.E., KryukovR.N., ZubkovS.Yu. FabricationofMnGa/GaAscontactsforoptoelectronicsandspintronicsapplications//Semiconductors.- 2016.- V. 50, No. 11.- P. 1443–1448.- DOI:10.1134/S1063782616110087.- Web of Science.- Impact factor - 0.739.
7. Ерофеева И.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Павлов Д.А., Усов Ю.В. Кристаллическая структура и термоэлектрические свойства тонких слоев MnSi_x // Физика и техника полупроводников.- 2016.- Т. 50, вып.11.- С. 1473-1478.- http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/43776.-Translated version: Erofeeva I.V., Dorokhin M.V., Lesnikov V.P.. Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Pavlov D.A., Usov U.V. On the crystal structure and thermoelectric properties of thin Si_1–xMn_x films //Semiconductors.- 2016.- V. 50, No. 11.- P. 1453–1457.- DOI: 10.1134/S1063782616110105.- Web of Science.- Impact factor - 0.739.
8. Грачев Д.А., Ершов А.В., Павлов Д.А. Аспекты обработки изображений просвечивающей электронной микроскопии композитных структур, содержащих нанокристаллы германия и кремния //Научная визуализация.- 2016.- Т. 5, № 8.- С. 113-121.- http://sv-journal.org/2016-5/10.php?lang=ru.

2017
 

1. Gorshkov O.N., Filatov D.O., Antonov D.A., Antonov I.N., Shenina M.E., Pavlov D.A. An oscillator based on a single Au nanocluster //J. Appl. Phys.- 2017.- V.121, No. 1.- P. 014308 (1-6).- http://dx.doi.org/10.1063/1.4973490.- Web of Science.- Impact factor - 2.068.
2. Buzynin Yu., Shengurov V., Zvonkov B., Buzynin A., Denisov S., Baidus N., Drozdov M., Pavlov D., Yunin P. GaAs/Ge/Si epitaxial substrates: Development and characteristics //AIP Advances.- 2017.- V. 7, No. 015304.- P. 1-6.- http://dx.doi.org/10.1063/1.4974498.- Web of Science.- Impact factor – 1.496.
3. Guseinov D.V., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Shenina M.E., Korolev D.S, Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Okulich E.V., Okulich V.I., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Gryaznov E.G. Filamentary model of bipolar resistive switching in capacitor-like memristive nanostructures on the basis of yttria-stabilised zirconia //Int. J. Nanotechnol.- 2017.- V. 14, Nos. 7/8.- P. 604- 617.- http://dx.doi.org/10.1504/IJNT.2017.083436.- Web of Science.- Impact factor – 0.663.
4. Грачев Д.А., Ершов А.В., Карабанова И.А., Пирогов А.В., Нежданов А.В., Машин А.И., Павлов Д.А. Влияние температуры осаждения и отжига на люминесценцию германиевых нанокристаллов, сформированных в пленках GeO_xи многослойных структурах Ge/SiO₂//Физика твердого тела.- 2017.- Т. 59, вып. 5.- С. 965-971.- http://dx.doi.org/10.21883/FTT.2017.05.44388.091.- http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/44388.-Translated version: Grachev D.A., Ershov A.V., Karabanova I.A., Pirogov A.V., Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Pavlov D.A. Influence of the Deposition and Annealing Temperatures on the Luminescence of Germanium Nanocrystals Formed in GeO_xFilms and Multilayer Ge/SiO₂Structures//Physics of the Solid State.- 2017.- V. 59, No. 5.- P. 992-998.- http://dx.doi.org/10.1134/S1063783417050134.- Web of Science.- Impact factor – 0.860.
5. Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E.I., Polubavkina Yu.S., Maximov M.V., Kulagina M.M., Troshkov S.I., Zadiranov Yu.M., Lipovskii A.A., Baidus N.V., Dubinov A.A., Krasilnik Z.F., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Yurasov D.V., Zhukov A.E. Electrically pumped InGaAs/GaAs quantum well microdisk lasers directly grown on Si(100) with Ge/GaAs buffer //Optics Express.- 2017.- V. 25, No. 14.- P. 16754-16760.- http://dx.doi.org/10.1364/OE.25.016754.- Web of Science.- Impact factor – 3.307.
6. Королев Д.С., Никольская А.А., Кривулин Н.О., Белов А.И., Ми-хайлов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Соболев Н.А., Kumar M. Формирование гексагональной фазы кремния 9R при ионной имплантации //Письма в ЖТФ.- 2017.- Т. 43, вып. 16.- С. 87-92.- http://dx.doi.org/10.21883/PJTF.2017.16.44937.16852.- Импакт-фактор РИНЦ 2015: 0.856. Translated version: Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Krivulin N.O., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Pavlov D.A., Tetel-baum D.I., Sobolev N.A., Kumar M. Formation of Hexagonal 9R Silicon Polytype by Ion Implantation //Technical Physics Letters.- 2017.- V. 43, No. 8.- P. 767-769.- http://dx.doi.org/10.1134/S1063785017080211.- Web of Science.- 2016 Impact factor – 0.771.
7. Горшков А.П., Волкова Н.С., Воронин П.Г., Здоровейщев А.В., Истомин Л.А., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Левичев С.Б. Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs//Физика и техника полупроводников. - 2017.- Т. 51, вып. 11.- С. 1447-1450.- http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45088.02.-Translated version: Gorshkov A.P., Volkova N.S., Voronin P.G., Zdoroveyshchev A.V., Istomin L.A., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Levichev S.B. Effect of the cap-layer composition on the electronic properties of InAs/GaAs quantum dots//Semiconductors.- 2017.- V. 51, No. 11.- P. 1395-1398.- http://dx.doi.org/10.1134/S1063782617110136.- Web of Science.- 2016 Impact factor – 0.602.
8. Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Дроздов М.Н., Усов Ю.В. Особенности селективного легирования марганцем GaAsструктур //Физика и техника полупроводников.- 2017.- Т. 51, вып. 11.- С. 1468-1472.- http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45092.06.- Импакт-фактор РИНЦ 2016 - 0.949.- Translated version: Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Antonov I.N., Drozdov M.N., Usov Yu.V. Features of the selective doping of manganese GaAs structures //Semiconductors.- 2017.- V. 51, No. 11.- P. 1415-1419.- http://dx.doi.org/10.1134/S1063782617110148.- Web of Science.- 2016 Impact factor – 0.602.
9. БайдусьН.В., АлешкинВ.Я., ДубиновА.А., КудрявцевК.Е., НекоркинС.М., НовиковА.В., ПавловД.А., РыковА.В., СушковА.А., ШалеевМ.В., ЮнинП.А., ЮрасовД.В., ЯблонскийА.Н., КрасильникЗ.Ф.ОсобенностивыращиваниялазерныхструктурInGaAs/GaAs/AlGaAs наподложкахGe/Si // Физикаитехникаполупроводников.- 2017.- Т. 51, вып. 11.- С. 1579-1582.- http://dx.doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45115.32.- Импакт-фактор РИНЦ 2016 - 0.949.- Translatedversion: BaidusN.V., AleshkinV.Ya., DubinovA.A., KudryavtsevK.E., NekorkinS.M., NovikovA.V., PavlovD.A., RykovA.V., SushkovA.A., ShaleevM.V., YuninP.A., YurasovD.V., YablonskiyA.N., KrasilnikZ.F. PeculiaritiesofGrowingInGaAs/GaAs/AlGaAsLaserStructuresbyMOCVDonGe/SiSubstrates//Semiconductors.- 2017.- V. 51, No. 11.- P. 1527-1530.- http://dx.doi.org/10.1134/S1063782617110070.- Web of Science.- 2016 Impact factor – 0.602.
10. Кудрин А.В., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Вихрова О.В., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Питиримова Е.А., Антонов И.Н. Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной //Физика твердого тела.- 2017.- Т. 59, вып. 11.- С. 2200-2202.- http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/45061.- Импакт-факторРИНЦ2016 – 1.170.- Translated version:Kudrin A.V., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Pitirimova E.A., Antonov I.N. Single-Phase Epitaxial InFeSb Layers with a Curie Temperature above Room Temperature //Physics of the Solid State.- 2017.- V. 59, No. 11.- P. 2220-2222.- http://dx.doi.org/10.1134/S1063783417110178.-Web of Science.- 2016 Impact factor – 0.860.
11. Kudrin A.V., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Antonov I.N., Kriukov R.N., Alaferdov A.V., Sobolev N.A. High-temperature intrinsic ferromagnetism in the (In,Fe)Sb semiconductor // Journal of Applied Physics.- 2017.- V. 122, No. 183901.- pp. 1-8.- https://doi.org/10.1063/1.5010191.- Web of Science.- 2016 Impact factor – 2.068.

2018
 

1. Alaferdov A.V., Savu R., Canesqui M.A., Kopelevich Y.V., da Silva R.R., Rozhkova N.N., Pavlov D.A., Usov Yu.V., de Trindade G.M., Moshkalev S.A. Ripplocation in graphite nanoplatelets during sonication assisted liquid phase exfoliation //Carbon.- 2018.- V. 129.- P. 826-529.- https://doi.org/10.1016/j.carbon.2017.12.100.-Web of Science.- 2016 Impact factor – 6.337.
2. Зубков С.Ю., Антонов И.Н., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Павлов Д.А., Шенина М.Е. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота //Физика твердого тела.- 2018.- Т. 60, вып. 3.- С. 591-595.- https://doi.org/10.21883/FTT.2018.03.45566.249.- Импакт-фактор РИНЦ 2016 – 1.170.- Translated version: Zubkov S.Yu., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Pavlov D.A., Shenina M.E. X-Ray Photoelectron Spectroscopy of Stabilized Zirconia Films with Embedded Au Nanoparticles Formed under Irradiation with Gold Ions //Physics of the Solid State.- 2018.- V. 60, No. 3.- P. 598–602.- https://doi.org/10.1134/S1063783418030368.- Web of Science.- 2016 Impact factor – 0.860.
3. Rajamani S, Arora K., Belov A., Korolev D., Nikolskaya A., Usov Yu., Pavlov D., Mikhaylov A., Tetelbaum D., Mukesh Kumar and Mahesh Kumar. Enhanced Solar-Blind Photodetection Performance of Encapsulated Ga₂O₃ Nanocrystals in Al₂O₃ Matrix// IEEE Sensors.- 2018.- V. 18, No.10.- pp. 4096-4052.- https://doi.org/10.1109/JSEN.2018.2821562.-Web of Science.- 2016 Impact factor – 2.512.
4. Rajamani S, Arora K., Konakov A., Belov A., Korolev D., Nikolskaya A., Mikhaylov A, Surodin S., Kryukov R, Nikolichev D., Sushkov A., Pavlov D., Tetelbaum D., Mukesh Kumar and Mahesh Kumar. Deep UV Narrow-Band Photodetector Based on Ion Beam Synthesized Indium Oxide Quantum Dots in Al₂O₃ Matrix//Nanotechnology.- 2018.-https://doi.org/10.1088/1361-6528/aabfaf.- Web of Science.- 2016 Impact factor – 3.446.-ACCEPTED MANUSCRIPT (Принятовпечать).
5. Терещенко А.Н., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Никольская А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Штейнман Э.А. Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si⁺//Физика и техника полупроводников.- 2018.- Т. 52, вып. 7.- С. 702-707.- https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46038.8759.- Импакт-фактор РИНЦ 2016 - 0.949.- Translated version: Tereshchenko A.N., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Nikolskaya A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Steinman E.A. Effect of Boron Impurity on the Light-Emitting Properties of Dislocation Structures Formed in Silicon by Si⁺Ion Implantation //Semiconductors.- 2018.- V. 52, No. 7.- P. 843–848.- https://doi.org/10.1134/S1063782618070229.- Web of Science.- 2016 Impact factor – 0.602.
6. Baidus N., Aleshkin V., Dubinov A., Kudryavtsev K., Nekorkin S., Novikov A., Pavlov D., Rykov A., Sushkov A., Shaleev M., Yunin P., Yurasov D., Krasilnik Z. MOCVD Growth of InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures with QuantumWells on Ge/Si Substrates //Crystals.- 2018.- V. 8(8), 311.- P .1-16.- http://dx.doi.org/10.3390/cryst8080311.- Web of Science.- 2017 Impact factor – 2.144.
7. Filatov D., Kazantseva I., Antonov D., Antonov I., Shenina М., Pavlov D. , Gorshkov O. Conductive Atomic Force Microscopy Study of the Resistive Switching in Yttria-Stabilized Zirconia Films with Au Nanoparticles //Scanning.- 2018.- V. 2018, Article ID 5489596.- P. 1-9.- https://doi.org/10.1155/2018/5489596.- Web of Science.- 2017 Impact factor – 0.994.
8. Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Krivulin N.O., Muhamatchin K.R., Elizarova A.A., Marychev M.O., Konakov A.A., Tetelbaum D.I., Pavlov D.A. Light-emitting 9R-Si phase formed by Kr⁺ ion implantation into SiO₂/Si substrate //Appl. Phys. Lett.- 2018.- V. 113, No. 161910.- P. 1-4.- https://doi.org/10.1063/1.5052605.- Web of Science.- 2017 Impact factor - 3.3495.
9. Горшков А.П., Волкова Н.С., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Истомин Л.А., Левичев С.Б. Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой //Физика и техника полупроводников.- 2018.- Т. 52, вып. 12.- С. 1421-1424.- Импакт-факторРИНЦ2017 - 0.888.- Translated version: Gorshkov A.P., Volkova N.S., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Istomin L.A., Levichev S.B. Relation between the Electronic Properties and Structure of InAs/GaAs Quantum Dots Grown by Vapor-Phase Epitaxy //Semiconductors.- 2018.- V. 52, No. 12.- P. 1525–1528.- https://doi.org/10.1134/S1063782618120096.- Web of Science.- 2017/2018 Impact factor – 0.672.
10. Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Formation of hexagonal silicon regions in silicon //Journal of Physics: Conference Series.- 2018.- V. 1124.- P. 022007 (1-5).- http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/1124/2/022007.- Scopus.- Impact factor - 0.450.
11. Filatov D.O., Gorshkov O.N., Mikhailov A.N., Korolev D.S., Koryazhkina M.N., Ryabova M.A., Antonov I.N., Shenina M.E., Pavlov D.A., Dunaevskii M.S. Investigation of local charge accumulation in yttria stabilized zirconia films with Au nanoparticles by Scanning Kelvin Probe Microscopy // Journal of Physics: Conference Series.- 2018.- V. 1124.- P. 081028 (1-4).-http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/1124/8/081028.- Scopus.- Impact factor - 0.450.

2019
 

1. Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kalentyeva I.L., Konakov A.A., Vasiliev V.K., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Zvonkov B.N. The nature of transport and ferromagnetic properties of the GaAs structures with the Mn δ-doped layer//Journal of Magnetism and Magnetic Materials.- 2019.- V. 478.- P. 84–90.- https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2019.01.092.- Web of Science.- 2017 Impact factor - 3.046.
2. Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Antonov I.N., Kriukov R.N., Zubkov S.Yu., Nikolichev D.E., Konakov A.A., Dudin Yu.A., Kuznetsov Yu.M., Temiryazev M.P., Sobolev N.A. Robustness of ferromagnetism in (In,Fe)Sb diluted magnetic semiconductor to variation of charge carrier concentration //Journal of Magnetism and Magnetic Materials.- 2019.- V. 485.- P. 236-243.- https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2019.04.088.-Web of Science.- 2017 Impact factor - 3.046.
3. Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Milin V.E., Kriukov R.N., Kuznetsov Yu.M., Trushin V.N., Sobolev N.A. Formation of epitaxial p-i-n structures on the basis of (In,Fe)Sb and (Ga,Fe)Sb diluted magnetic semiconductors layers //Journal of Magnetism and Magnetic Materials.- 2019.- V. 487.- P. 165321(1-6).- https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2019.165321.-Web of Science.- 2017 Impact factor - 3.046.
4. Emelyanov A.V., Nikiruy K.E., Demin V.A., Rylkov V.V., Belov A.I., Korolev D.S., Gryaznov E.G., Pavlov D.A., Gorshkov O.N., Mikhaylov A.N., Dimitrakis P. Yttria-stabilized zirconia cross-point memristive devices for neuromorphic applications //Microelectronic Engineering.- 2019.- V. 215.- P. 110988(1-5).- https://doi.org/10.1016/j.mee.2019.110988.-Web of Science.- 2018 Impact factor - 1.654.
5. Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников B.П., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Кудрин А.В., Дёмина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А. Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs //ПисьмавЖТФ.- 2019.- Т. 45, вып. 13.- С. 33-36.- https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.13.47955.17812.- Импакт-фактор РИНЦ2017: 0.916.- Translated version: Ved’ M.V., Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Kudrin A.V., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A. Diode Structures Based on (In, Fe)Sb/GaAs Magnetic Heterojunctions //Technical Physics Letters.- 2019.- V. 45, No. 7.- P. 668–671.- https://doi.org/10.1134/S1063785019070149.- Web of Science.- 2018 Impact factor – 0.773.
6. Сушков А.А., Павлов Д.А., Шенгуров В.Г., Денисов C.А., Чалков В.Ю., Байдусь Н.В., Рыков А.В. Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al₂O₃ //Физика и техника полупроводников.- 2019.- Т. 53, вып. 9.- С. 1271–1274.- https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48137.20.- Импакт-фактор РИНЦ 2017 – 0.937.- Translated version: Sushkov A.A., Pavlov D.A., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Baidus N.V., Rykov A.V. Studies of the Cross Section and Photoluminescence of a GaAs Layer Grown on a Si/Al₂O₃Substrate //Semiconductors.- 2019.- V. 53, No. 9.- P. 1242–1245.- https://doi.org/10.1134/S1063782619090227.- Web of Science.- 2018 Impact factor – 0.691.
7. Планкина С.М., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Павлов Д.А., Пашенькин И.Ю., Сушков А.А. Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур //Физика и техника полупроводников.- 2019.- Т. 53, вып. 9.- С. 1233-1236.- https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48130.13.- Импакт-фактор РИНЦ 2017 – 0.937.- Translated version: Plankina S.M., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Zubkov S.Yu., Kriukov R.N., Nezhdanov A.V., Pavlov D.A., Pashen’kin I.Yu., Sushkov A.A. On the Combined Application of Raman Spectroscopy and Photoluminescence Spectroscopy for the Diagnostics of Multilayer Heterostructures // Semiconductors.- 2019.- V. 53, No. 9.- P. 1207–1210.- https://doi.org/10.1134/S1063782619090148.- Web of Science.- 2018 Impact factor – 0.691.
8. Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Mechanism of formation of light-emitting silicon hexagonal phase 9R-Si //Journal of Physics: Conference Series.- 2019.- V. 1410.- P. 012037(1-5).- https://doi.org/10.1088/1742-6596/1410/1/012037.- Web of Science.- 2019 Impact factor – 0.221.

2020
 

1. Тихов С.В., Белов А.И., Королев Д.С., Антонов И.Н., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Михайлов А.Н. Электрофизические характеристики многослойных мемристивных наноструктур на основе стабилизированного иттрием диоксида циркония и оксида тантала //Журнал технической физики.- 2020.- Т. 90, вып. 2.- С. 298-304.- https://doi.org/10.21883/JTF.2020.02.48824.211-19.- Импакт-факторРИНЦ2018- 1,003.- Translated version: Tikhov S.V., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N., Mikhailov A.N. Electrophysical Characteristics of Multilayer Memristive Nanostructures Based on Yttria-Stabilized Zirconia and Tantalum Oxide //Technical Physics.- 2020.- Vol. 65, No. 2.- P. 284–290.- https://doi.org/10.1134/S1063784220020231.- Web of Science.- 2019 Impact factor – 0.603.
2. Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Konakov A.A., Belov A.I., Marychev M.O., Murtazin R.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Photoluminescence of silicon at 1235 nm produced by irradiation of SiO₂/Si with Kr⁺ ions and subsequent high-temperature annealing //Surface and Coatings Technology.- 2020.- V. 386.- P. 25496(1-4).- https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2020.125496.- Web of Science.- 2019 Impact factor – 3.192.
3. Mikhaylov A., Belov A., Korolev D., Antonov I., Kotomina V., Kotina A., Gryaznov E., Sharapov A., Koryazhkina M., Kryukov R., Zubkov S., Sushkov A., Pavlov D., Tikhov S., Morozov O., Tetelbaum D. Multilayer Metal-Oxide Memristive Device with Stabilized Resistive Switching //Adv. Mater. Technol.- 2020.- V. 5, Issue 1.- P. 1900607(1-9).- https://doi.org/10.1002/admt.201900607.- Web of Science.- 2019 Impact factor – 5.395.
4. Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Кудрин А.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Милин В.Е., Данилов Ю.А. Циркулярно поляризованная электролюминесценция спиновых светодиодов c ферромагнитным инжектором (In,Fe)Sb //Письма в ЖТФ.- 2020.- Т. 46, вып. 14.- С. 17-20.- https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.14.49660.18313.- Импакт-фактор РИНЦ 2018: 0.926.- Translated version: Ved M.V., Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Kudrin A.V., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Milin V.E., Danilov Yu.A. Circularly Polarized Electroluminescence of Spin LEDs with a Ferromagnetic (In, Fe)Sb Injector //Technical Physics Letters.- 2020.- Vol. 46, No. 7.- P. 691–694.- https://doi.org/10.1134/S1063785020070299.- Web of Science.- 2019 Impact factor – 0.791.
5. Сушков А.А., Павлов Д.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Крюков Р.Н., Питиримова Е.А. Наращивание слоя Geна структуру Si/SiO₂/Si(100) методом «горячей проволоки»//Физика и техника полупроводников.- 2020.- Т. 54, вып. 10.- С. 1129–1133.- https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49956.36.- Импакт-фактор РИНЦ 2018 – 0.848.- Translated version: Sushkov A.A., Pavlov D.A., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Kryukov R.N., Pitirimova E.A. Growth of a Ge Layer on a Si/SiO₂/Si(100) Structure by the Hot-Wire Method //Semiconductors.- 2020.- V. 54, No. 10.- P. 1332-1335.- https://doi.org/10.1134/S1063782620100309.- Web of Science (Q4).- 2019 Impact factor – 0.641.
6. Filatov D.O., Shenina M.E., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Kruglov A.V., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Gorshkov O.N. Resistive Switching in Memristors Based on Ge/Si(001) Epitaxial Layers //Semiconductors.- 2020.- V. 54, No. 14.- P. 1833-1835.- https://doi.org/10.1134/S1063782620140109.- Web of Science (Q4).- 2019 Impact factor – 0.641.
7. Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Demina P.B., Pavlov D.A., Usov Yu.V. Milin V.E., Kuznetsov Yu.M., Kriukov R.N., Konakov A.A., Tabachkova N.Yu. High-temperature intrinsic ferromagnetism in heavily Fe-doped GaAs layers //Semiconductor Science and Technology.- 2020.- V. 35.- No. 12.- P. 125032 (1-13).- https://doi.org/10.1088/1361-6641/abbd5c.- Web of Science.- 2019 Impact factor – 2.361.
8. Gorshkov O.N., Filatov D.O., Koveshnikov S.V., Shenina M.E., Soltanovich O.A., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Antonov I.N., Pavlov D.A., Vorontsov V.A., Kruglov A.V., Yakimov E.B. Bipolar resistive switching in memristors based on Ge/Si(001) epitaxial layers //Journal of Physics: Conference Series.- 2020.- V. 1695.- P. 012158 (1-5).- https://doi.org/10.1088/1742-6596/1695/1/012158.- Web of Science.- 2019 Impact factor – 0.221.
9. Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Konakov A.A., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Marychev M.O., Murtazin R.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Light-emitting hexagonal 9R-Si phase obtained by implantation of Kr⁺ ions in Si and SiO₂/Si // Journal of Physics: Conference Series.- 2020.- V. 1695.- P. 012031 (1-5).- https://doi.org/10.1088/1742-6596/1695/1/012031.- Web of Science.- 2019 Impact factor – 0.221.

2021
 

1. Surazhevsky I.A., Demin V.A., Ilyasov A.I., Emelyanov A.V., Nikiruy K.E., Rylkov V.V., Shchanikov S.A., Bordanov I.A., Gerasimova S.A., Guseinov D.V., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Kazantsev V.B., Valenti D., Spagnolo B., Kovalchuk M.V. Noise-assisted persistence and recovery of memory state in a memristive spiking neuromorphic network //Chaos, Solitons and Fractals.- 2021.- V. 146.- P. 110890(1-14).- https://doi.org/10.1016/j.chaos.2021.110890.- Web of Science.- 2020 Impact factor - 3.764.
2. Сушков А.А., Павлов Д.А., Андрианов А.И., Шенгуров В.Г., Денисов C.А., Чалков В.Ю., Крюков Р.Н., Байдусь Н.В., Юрасов Д.В., Рыков А.В. Сравнение гетероструктур А^IIIВ^V, выращенных на платформах Ge/Si, Ge/SOIи GaAs//Физика и техника полупроводников.- 2021.- Т. 55, вып. 11.- С. 978-988.- https://doi.org/10.21883/FTP.2021.11.51550.47.- Импакт-фактор РИНЦ 2018 – 0.794.- Translated version: Sushkov A.A., Pavlov D.A., Andrianov A.I., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Kryukov R.N., Baidus N.V., Yurasov D.V., RykovA.V. Comparison of III–V Heterostructures Grown on Ge/Si, Ge/SOI, and GaAs //Semiconductors.-  2022.-  V. 56, No. 2.- P. 122-133.- https://doi.org/10.1134/S1063782622010171.- Web of Science.- 2022 Impact factor - 1.754.
3. Novikov A.S., Filatov D.O., Shenina M.E., Antonov I.N., Antonov D.A., Nezhdanov A.V., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Gorshkov O.N. A mechanism of effect of optical excitation on resistive switching in ZrO₂(Y) films with Au nanoparticles //Journal of Physics D: Applied Physics.- 2021.- V. 54.- No. 48.- P. 485303(1-9).- https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac1d11.- Web of Science.- 2020 Impact factor - 3.169.
4. Vorontsov V.A., Antonov D.A., Kruglov A.V., Antonov I.N., Shenina M.E., Kotomina V.E., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Pavlov D.A., Filatov D.O., Gorshkov O.N. Investigation of resistive switching in Ag/Ge/Si(001) stack by conductive atomic force microscopy //Journal of Physics: Conference Series.- 2021.- V. 2086.- P. 012043(1-4).- https://doi.org/10.1088/1742-6596/2086/1/012043.- Scopus.- 2020 Impact factor - 0.464.
5. Коряжкина М.Н., Филатов Д.О., Тихов С.В., Белов А.И., Королев Д.С., Круглов А.В., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю., Воронцов В.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Ким С. Электрофизические свойства мемристоров на основе оксида кремния на подложках “кремний-на-изоляторе” //Российские нанотехнологии.- 2021.- Т. 16, № 6.- С. 776-786.- https://doi.org/10.1134/S1992722321060108.- Импакт-фактор РИНЦ 2020: 1.513.- Translatedversion:  KoryazhkinaM.N., FilatovD.O., TikhovS.V., BelovA.I., KorolevD.S., KruglovA.V., KryukovR.N., ZubkovS.Yu., VorontsovV.A., PavlovD.A., TetelbaumD.I., MikhaylovA.N., KimS. ElectricalPropertiesofSilicon-Oxide-BasedMemristorsonSilicon-on-InsulatorSubstrates//NanobiotechnologyReports.-  2021.- V. 16, No. 6.- P. 745–754.- https://doi.org/10.1134/S2635167621060100.

2022
 

1. Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Trushin V.N., Zaitsev A.V., Nezhdanov A.V., Pavlov D.A., Filatov D.O. Growth Defects in GeSn/Ge/Si(001) Epitaxial Layers Grown by Hot Wire Chemical Vapor Deposition of Ge with Co-evaporaton of Sn //Journal of Crystal Growth.- 2022.- V. 578.- P. 126421(1-6).- https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2021.126421.- Web of Science.- 2019 Impact factor - 1.797.
2. Nikolskaya A., Korolev D., Belov A., Konakov A., Pavlov D., Mikhaylov A., Tetelbaum D. Influence of chemical nature of implanted atoms on photoluminescence of ion-synthesized 9R-Si hexagonal silicon //Materials Letters.- 2022.- V. 308.- P. 131103(1-3).- https://doi.org/10.1016/j.matlet.2021.131103.- Web of Science.- 2019 Impact factor - 3.423.
3. Karpov T.E., Muslimov A.R., Antuganov D.O., Postovalova A.S., Pavlov D.A., Usov Y.V., Shatik S.V., Zyuzin M.V., Timin A.S. Impact of metallic coating on the retention of ²²⁵Ac and its daugthers within core-shell nanocarriers //Journal of Colloid and Interface Science.- 2022.- V. 608.- P. 2571-2573.- https://doi.org/10.1016/j.jcis.2021.10.187.- Web of Science.- 2019 Impact factor - 8.128.
4. Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Tikhov S.V., Belov A.I., Korolev D.S., Kruglov A.V., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Shchanikov S.A., Kim S., Spagnolo B. Silicon-Compatible Memristive Devices Tailored by Laser and Thermal Treatments //Journal of Low Power Electronics and Applications.- 2022.- V. 12, Issue 1.- P. 1-22.- https://doi.org/10.3390/jlpea12010014.- Scopus.- 2020.-0.65.
5. KorolevD.S., MatyuninaK.S., NikolskayaA.A., KriukovR.N., NezhdanovA.V., BelovA.I., MikhaylovA.N., SushkovA.A., PavlovD.A., YuninP.A., DrozdovM.N., TetelbaumD.I. Ion-BeamSynthesisofGalliumOxideNanocrystalsinaSiO₂/SiDielectricMatrix// Nanomaterials.- 2022.- V. 12, No. 11.- P. 1840(1-9).- https://doi.org/10.3390/nano12111840. - 2021 Impact factor - 5.719.
6. Trushin V., Nikolskaya A., Korolev D., Mikhaylov A., Belov A., Pitirimova E., Pavlov D., Tetelbaum D. Disordering of β-Ga₂O₃ upon irradiation with Si+ ions: Effect of surface orientation // Materials Letters.- 2022.- V. 319.- P. 132248(1-3).- https://doi.org/10.1016/j.matlet.2022.132248.- 2021 Impact factor - 3.574.