Кратко рассмотрены два основных способа получения полупроводниковых гетероструктур: метод молекулярно–лучевой эпитаксии и метод осаждения пленок из металлоорганических соединений. Изложены общие представления о физических явлениях, определяющих процесс роста гетероструктуры и качество гетерограниц.
Белявский В.И. // Соросовский образовательный журнал, 1998, No 10, с. 92–98.
|
|
Самоорганизованные квантовые точки – новый объект наноэлектроники, привлекающий большое внимание физиков, инженеров, технологов и разработчиков оптоэлектронных приборов. Рассмотрены вопросы получения, исследования и применения гетероструктур с cамоорганизованными квантовыми точками.
Карпович И.А. // Соросовсикй образовательный журнал, 2001, No 11, с. 102–108.
|
|
|
В статье в доступной форме обсуждаются научные предпосылки становления нового направления в современной электронике – наноэлектроники, его основные достижения и перспективы использования для создания новых поколений информационных систем.
Борисенко В.Е. // Соросовский образовательный журнал, 1997, No 5, с. 100–104.
|
|
|
Движение электронов в микроскопических полупроводниковых структурах подчиняется законам квантовой механики. Эти структуры квантовые ямы, нити, точки должны стать основой нового поколения электронных и оптоэлектронных приборов.
(Статься из Соросовского образовательного журнала, №5, 1997)
|
|